AP01L60H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP01L60H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30.7 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 12 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP01L60H

AP01L60H Datasheet (PDF)

..1. Size:95K ape
ap01l60h j-hf.pdf

AP01L60H/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 600VD Fast Switching Characteristics RDS(ON) 12 Simple Drive Requirement ID 1AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionThe TO-252 package is widely preferred for commercial-industrialGsurface mount applications and suited

..2. Size:238K ape
ap01l60h.pdf

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ap01l60h-a-hf ap01l60j-a-hf.pdf

AP01L60H/J-A-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Rated BVDSS 650VD Fast Switching Speed RDS(ON) 12 Simple Drive Requirement ID 1AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionThe TO-252 package is widely preferred for commercial-industrialGsurface mount applications and suited for AC/

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AP01L60H/J-HRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Rated BVDSS 700VD Fast Switching Speed RDS(ON) 12 Simple Drive Requirement ID 1AGSDescriptionThe TO-252 package is universally preferred for all commercial-industrialGsurface mount applications and suited for AC/DC converters. The DSTO

0.3. Size:62K ape
ap01l60h-h ap01l60j-h.pdf

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