2N7227 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N7227 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 190 max nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.315 Ohm
Encapsulados: TO254
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2N7227 datasheet
2n7224 2n7225 2n7227 2n7228.pdf
2N7224, JANTX2N7224, JANTXV2N7224 2N7227, JANTX2N7227, JANTXV2N7227 2N7225, JANTX2N7225, JANTXV2N7225 2N7228, JANTX2N7228, JANTXV2N7228 JANTX, JANTXV POWER MOSFET IN TO-254AA PACKAGE, QUALIFIED TO MIL-PRF-19500/592 100V Thru 500V, Up to 34A, N-Channel, MOSFET Power Transistor, Repetitive Avalanche Rated FEATURES Repetitive Avalanche Rating Isolated and Hermetically Sealed L
2n7227.pdf
D TO-254 G 2N7227 400 Volt 0.315 S JX2N7227* JV2N7227* TM POWER MOS IV *QUALIFIED TO MIL-S-19500/592 31/7/92 JEDEC REGISTERED N - CHANNEL HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS MAXIMUM RATINGS All Ratings TC = 25 C unless otherwise specified. Symbol Parameter 2N7227 UNIT VDSS Drain-Source Voltage 400 Volts VGS Gate-Source Voltage 20 Continuous Drain Current @ TC = 25 C 14 ID Co
2n7227u.pdf
PD-91551D IRFN350 JANTX2N7227U JANTXV2N7227U POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/592 SURFACE MOUNT(SMD-1) 400V, N-CHANNEL Product Summary HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Part Number RDS(on) ID IRFN350 0.315 14A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on- state resi
2n7221u.pdf
PD-91550D IRFN340 JANTX2N7221U JANTXV2N7221U POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/596 SURFACE MOUNT(SMD-1) 400V, N-CHANNEL Product Summary HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Part Number RDS(on) ID IRFN340 0.55 10A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re- si
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