AP9620AGM Todos los transistores

 

AP9620AGM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP9620AGM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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AP9620AGM Datasheet (PDF)

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AP9620AGM

AP9620AGM-HFHalogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS -20VDDD Lower On-resistance RDS(ON) 21mD Fast Switching Characteristic ID -9AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSF

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AP9620AGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS -20VDDD Lower On-resistance RDS(ON) 21mD Fast Switching Characteristic ID -9AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination

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AP9620AGM

AP9620GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On Resistance BVDSS -20VDD Capable of 2.5V Drive D RDS(ON) 20mD Fast Switching ID -9.5AG RoHS Compliant SSSO-8SDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device d

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AP9620AGM

AP9620GM-HFHalogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On Resistance BVDSS -20VDD Capable of 2.5V Drive D RDS(ON) 20mD Fast Switching Characteristic ID -9.5AG RoHS Compliant & Halogen-Free SSSO-8SDescriptionDAP9620 series are from Adva

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History: ST2305A | 2SJ541

 

 
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