AP4578GM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP4578GM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 9 nC
   Tiempo de subida (tr): 6 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 90 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP4578GM

AP4578GM Datasheet (PDF)

..1. Size:206K ape
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AP4578GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 60VD2D2D2 Lower Gate Charge D2 RDS(ON) 64mD1D1 D1D1 Fast Switching Performance ID 4.5AG2G2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -60VS2S2G1SO-8 S1 G1RDS(ON) 125mSO-8 S1Description ID -3AAdvanced Power M

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AP4578GH-HFHalogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 60VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 72m Fast Switching Performance ID 9AS1G1 RoHS Compliant & Halogen-Free S2 P-CH BVDSS -60VG2RDS(ON) 125mTO-

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AP4578GDPb Free Plating ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge N-CH BVDSS 60VD2D1 Fast Switching Speed RDS(ON) 64mD1 PDIP-8 Package ID 4.5A RoHS Compliant P-CH BVDSS -60VG2S2PDIP-8G1RDS(ON) 125mS1Description ID -3AThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with t

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: