AP9950AGH Todos los transistores

 

AP9950AGH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP9950AGH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 92.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 68 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm

Encapsulados: TO252

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AP9950AGH datasheet

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AP9950AGH

AP9950AGH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 68V Lower Gate Charge RDS(ON) 10.5m Fast Switching Characteristic ID 70A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP9950A series are from Advanced Power innovat

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AP9950AGH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 68V Lower Gate Charge RDS(ON) 10.5m Fast Switching Characteristic ID 70A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the G D S TO-252(H) best combination of fast

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AP9950AGP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 68V Lower Gate Charge RDS(ON) 10.5m Fast Switching Characteristic ID 70A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggediz

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AP9950AGP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 68V Lower Gate Charge RDS(ON) 10.5m Fast Switching Characteristic ID 70A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP9950A series are from Advanced Power innovate

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