AP65SL190DR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP65SL190DR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 58 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP65SL190DR

AP65SL190DR Datasheet (PDF)

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ap65sl190dr.pdf

AP65SL190DRHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 650VD Low trr / Qrr RDS(ON) 0.19 Simple Drive Requirement ID3,4 20AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP65SL190D series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the lowest possible

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AP65SL190DPHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 650VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.19 Simple Drive Requirement ID3,4 20AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP65SL190D series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the

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ap65sl190dwl.pdf

AP65SL190DWLHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 650VD Low trr / Qrr RDS(ON) 0.19 Simple Drive Requirement ID3 20AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP65SL190D series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest possible

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ap65sl190di.pdf

AP65SL190DIHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 650VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.19 Simple Drive Requirement ID3,4 20AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP65SL190D series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the

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