AP65SL190AI Todos los transistores

 

AP65SL190AI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP65SL190AI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 55 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

AP65SL190AI Datasheet (PDF)

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AP65SL190AIHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test VDS @ Tj,max. 700VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.19 Simple Drive Requirement ID3,4 20AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP65SL190A series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to ach

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AP65SL190AINHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test VDS @ Tj,max. 700VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.19 Simple Drive Requirement ID3,4 20AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP65SL190A series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to ac

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AP65SL190AWLHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test VDS @ Tj,max. 700VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.19 Simple Drive Requirement ID3 20AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP65SL190A series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achi

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AP65SL190APHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test VDS @ Tj,max. 700VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.19 Simple Drive Requirement ID3 20AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP65SL190A series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achie

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