AP50WN270W Todos los transistores

 

AP50WN270W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP50WN270W

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 208 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 500 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Tiempo de elevación (tr): 53 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 140 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.27 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

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AP50WN270W Datasheet (PDF)

0.1. ap50wn270w.pdf Size:184K _ape

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AP50WN270WHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 500VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.27 Fast Switching Characteristic ID3 20AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP50WN270 series are from the innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest possible on-

5.1. ap50wn270i.pdf Size:102K _ape

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AP50WN270IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 500VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.27 Fast Switching Characteristic ID3 20AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP50WN270 series are from the innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest possible on-

5.2. ap50wn270in.pdf Size:212K _ape

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AP50WN270INHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 500VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.27 Fast Switching Characteristic ID3 20AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP50WN270 series are from the innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest possible on

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