AP4563GH Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP4563GH  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.13 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: TO252-4L

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AP4563GH datasheet

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AP4563GH

AP4563GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 30m Fast Switching Performance ID 8A S1 G1 S2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -40V G2 RDS(ON) 36m TO-252-4L Description ID -7.3A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the de

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AP4563GH

AP4563GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 30m Fast Switching Performance ID 8A S1 G1 S2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -40V G2 RDS(ON) 36m TO-252-4L Description ID -7.3A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the de

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AP4563GH

AP4563GM Pb Free Plating Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40V D2 D2 Fast Switching Performance RDS(ON) 30m D1 D1 RoHS Compliant ID 6.7A G2 P-CH BVDSS -40V S2 G1 S1 SO-8 RDS(ON) 36m Description ID -6A The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best

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AP4563GH

AP4563AGH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 20m Fast Switching Performance ID 9.6A S1 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -40V G1 S2 RDS(ON) 36m G2 Description ID -7.3A TO-252-4L D1 D2 Advanced Power MOSFE

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