AP4028EYT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP4028EYT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.12 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: PMPAK3X3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP4028EYT

AP4028EYT Datasheet (PDF)

..1. Size:122K ape
ap4028eyt.pdf

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ap4028eh.pdf

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AP4028EJBHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 30VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 9mG Fast Switching Characteristic ID 45A RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP4028 series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest possi

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History: 2SK1796

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