AP14SL50I MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP14SL50I
   Código: 14SL50I
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 26 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP14SL50I

AP14SL50I Datasheet (PDF)

..1. Size:217K ape
ap14sl50i.pdf

AP14SL50I-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Fast Switching Characteristic VDS @ Tj,max. 550VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.28 RoHS Compliant & Halogen-Free ID 13AGSDescriptionAP14SL50 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest possible on-

6.1. Size:222K ape
ap14sl50w.pdf

AP14SL50W-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test VDS @ Tj,max. 550VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.28 Simple Drive Requirement ID 13AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP14SL50 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve

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ap14sl50h.pdf

AP14SL50H-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test VDS @ Tj,max. 550VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.28 Simple Drive Requirement ID 13AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP14SL50 series are from Advanced Power innovated design andGsilicon process technology to achi

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ap14s50s-hf.pdf

AP14S50S-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Fast Switching Characteristic BVDSS 500VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.27 RoHS Compliant & Halogen-Free ID 13.5AGSDescriptionAP14S50 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest possible on-GD

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