IRFI730A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFI730A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 73 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFI730A

IRFI730A Datasheet (PDF)

..1. Size:117K 1
irfi730a irfw730a.pdf

7.1. Size:917K international rectifier
irfi730g.pdf

PD - 94987IRFI730GPbF Lead-Free2/9/04Document Number: 91153 www.vishay.com1IRFI730GPbFDocument Number: 91153 www.vishay.com2IRFI730GPbFDocument Number: 91153 www.vishay.com3IRFI730GPbFDocument Number: 91153 www.vishay.com4IRFI730GPbFDocument Number: 91153 www.vishay.com5IRFI730GPbFDocument Number: 91153 www.vishay.com6IRFI730GPbFTO-220 Full-P

7.2. Size:1544K vishay
irfi730g sihfi730g.pdf

IRFI730G, SiHFI730GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 400 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 1.0f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 38 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmCOMPLIANTQgs (nC) 5.7 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 22 Low Thermal Resistance Lead (Pb)-free

8.1. Size:258K international rectifier
irfi734gpbf.pdf

PD- 95752IRFI734GPbF Lead-Free8/23/04Document Number: 91154 www.vishay.com1IRFI734GPbFDocument Number: 91154 www.vishay.com2IRFI734GPbFDocument Number: 91154 www.vishay.com3IRFI734GPbFDocument Number: 91154 www.vishay.com4IRFI734GPbFDocument Number: 91154 www.vishay.com5IRFI734GPbFDocument Number: 91154 www.vishay.com6IRFI734GPbFPeak Diode Re

8.2. Size:241K international rectifier
irfi734g.pdf

8.3. Size:846K vishay
irfi734gpbf.pdf

IRFI734G, SiHFI734GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 450 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;f = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = 10 V 1.2 Sink to Lead Creepage Dist. 4.8 mmQg (Max.) (nC) 45 Dynamic dV/dtQgs (nC) 6.6 Low Thermal ResistanceQgd (nC) 24 Lead (Pb)-free Configuration SingleDESCRIPTIOND

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Liste

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