2N7236 Todos los transistores

 

2N7236 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N7236

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 100 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 60(max) nC

Tiempo de elevación (tr): 85(max) nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.2 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO254

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2N7236 Datasheet (PDF)

..1. 2n7236 2n7236u.pdf Size:94K _1

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TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com P-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/595 DEVICES LEVELS 2N7236 2N7236U JANJANTXJANTXVABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25C unless otherwise noted) Parameters / Test Conditions Symbol Value Unit Drain Source Voltage VD

0.1. 2n7236u.pdf Size:21K _semelab

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IRFN91402N7236UMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)PCHANNELPOWER MOSFET VDSS 100V ID(cont) 18A RDS(on) 0.20FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACEMOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OFPCB SPACE SIMPLE DRIVE REQUIREM

9.1. 2n7237.pdf Size:192K _1

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PD - 90497FIRFM9240JANTX2N7237JANTXV2N7237JANS2N7237POWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/595THRU-HOLE (TO-254AA) 200V, P-CHANNELProduct Summary HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Part Number RDS(on) IDIRFM9240 0.51 -11AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on

Otros transistores... 2N7224 , 2N7225 , 2N7227 , 2N7227JV , 2N7227JX , 2N7228 , 2N7228JV , 2N7228JX , IRF520 , 2N7237 , 2N7241 , 2N7242 , 2N7243 , 2N7244 , 2N7271H , 2N7271H1 , 2N7271H2 .

 

 
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