IRFI740GLC Todos los transistores

 

IRFI740GLC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFI740GLC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 39(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de IRFI740GLC MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IRFI740GLC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:221K  international rectifier
 irfi740glc.pdf pdf_icon

IRFI740GLC

 ..2. Size:1296K  vishay
 irfi740glc sihfi740glc.pdf pdf_icon

IRFI740GLC

IRFI740GLC, SiHFI740GLCVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low Gate ChargeVDS (V) 400 Reduced Gate Drive RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.55 Enhanced 30 V VGS RatingRoHS* Isolated PackageQg (Max.) (nC) 39COMPLIANT High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s,Qgs (nC) 10f = 60 Hz)Qgd (nC) 19 Sink to Lead C

 6.1. Size:925K  international rectifier
 irfi740g.pdf pdf_icon

IRFI740GLC

PD - 94854IRFI740GPbF Lead-Free11/19/03Document Number: 91156 www.vishay.com1IRFI740GPbFDocument Number: 91156 www.vishay.com2IRFI740GPbFDocument Number: 91156 www.vishay.com3IRFI740GPbFDocument Number: 91156 www.vishay.com4IRFI740GPbFDocument Number: 91156 www.vishay.com5IRFI740GPbFDocument Number: 91156 www.vishay.com6IRFI740GPbFTO-220 Full

 6.2. Size:1583K  vishay
 irfi740g sihfi740g.pdf pdf_icon

IRFI740GLC

IRFI740G, SiHFI740GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 400 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.55f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 66COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 10 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 33 Low Thermal ResistanceConfiguration Sin

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRFI710A , IRFI720A , IRFI720G , IRFI730A , IRFI730G , IRFI734G , IRFI740A , IRFI740G , RU7088R , IRFI744G , IRFI820A , IRFI820G , IRFI830A , IRFI830G , IRFI840A , IRFI840G , IRFI840GLC .

 

 
Back to Top

 


 
.