IRFI744G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFI744G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 450 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.63 Ohm

Encapsulados: TO220F

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IRFI744G datasheet

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IRFI744G

PD - 94855 IRFI744GPbF Lead-Free 11/19/03 Document Number 91157 www.vishay.com 1 IRFI744GPbF Document Number 91157 www.vishay.com 2 IRFI744GPbF Document Number 91157 www.vishay.com 3 IRFI744GPbF Document Number 91157 www.vishay.com 4 IRFI744GPbF Document Number 91157 www.vishay.com 5 IRFI744GPbF Document Number 91157 www.vishay.com 6 IRFI744GPbF Document Nu

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IRFI744G

IRFI744G, SiHFI744G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 450 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.63 f = 60 Hz) RoHS* COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 80 Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8 mm Qgs (nC) 12 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 41 Low Thermal Resistance Lead (Pb)-free Av

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IRFI744G

IRFI744G, SiHFI744G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 450 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.63 f = 60 Hz) RoHS* COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 80 Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8 mm Qgs (nC) 12 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 41 Low Thermal Resistance Lead (Pb)-free Av

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