IRFI744G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFI744G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.63 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de IRFI744G MOSFET
IRFI744G Datasheet (PDF)
irfi744gpbf.pdf
PD - 94855IRFI744GPbF Lead-Free11/19/03Document Number: 91157 www.vishay.com1IRFI744GPbFDocument Number: 91157 www.vishay.com2IRFI744GPbFDocument Number: 91157 www.vishay.com3IRFI744GPbFDocument Number: 91157 www.vishay.com4IRFI744GPbFDocument Number: 91157 www.vishay.com5IRFI744GPbFDocument Number: 91157 www.vishay.com6IRFI744GPbFDocument Nu
irfi744gpbf.pdf
IRFI744G, SiHFI744GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 450Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.63f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 80 Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8 mmQgs (nC) 12 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 41 Low Thermal Resistance Lead (Pb)-free Av
irfi744g sihfi744g.pdf
IRFI744G, SiHFI744GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 450Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.63f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 80 Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8 mmQgs (nC) 12 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 41 Low Thermal Resistance Lead (Pb)-free Av
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History: STS1HNK60 | FDP15N65
Liste
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