IRFI744G Todos los transistores

 

IRFI744G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFI744G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 80(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.63 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de IRFI744G MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IRFI744G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:988K  international rectifier
irfi744gpbf.pdf pdf_icon

IRFI744G

PD - 94855IRFI744GPbF Lead-Free11/19/03Document Number: 91157 www.vishay.com1IRFI744GPbFDocument Number: 91157 www.vishay.com2IRFI744GPbFDocument Number: 91157 www.vishay.com3IRFI744GPbFDocument Number: 91157 www.vishay.com4IRFI744GPbFDocument Number: 91157 www.vishay.com5IRFI744GPbFDocument Number: 91157 www.vishay.com6IRFI744GPbFDocument Nu

 ..2. Size:261K  international rectifier
irfi744g.pdf pdf_icon

IRFI744G

 ..3. Size:1709K  vishay
irfi744gpbf.pdf pdf_icon

IRFI744G

IRFI744G, SiHFI744GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 450Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.63f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 80 Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8 mmQgs (nC) 12 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 41 Low Thermal Resistance Lead (Pb)-free Av

 ..4. Size:1741K  vishay
irfi744g sihfi744g.pdf pdf_icon

IRFI744G

IRFI744G, SiHFI744GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 450Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.63f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 80 Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8 mmQgs (nC) 12 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 41 Low Thermal Resistance Lead (Pb)-free Av

Otros transistores... IRFI720A , IRFI720G , IRFI730A , IRFI730G , IRFI734G , IRFI740A , IRFI740G , IRFI740GLC , STP65NF06 , IRFI820A , IRFI820G , IRFI830A , IRFI830G , IRFI840A , IRFI840G , IRFI840GLC , IRFI9520N .

 

 
Back to Top

 


 
.