AP2451GY Todos los transistores

 

AP2451GY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP2451GY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5(3.7) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032(0.057) Ohm
   Paquete / Cubierta: 2928-8
 

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AP2451GY Datasheet (PDF)

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AP2451GY

AP2451GYPb Free Plating ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive N-CH BVDSS 20VD2D2 Lower on-resistance RDS(ON) 37mD1D1G2 Surface mount package ID 5AS2P-CH BVDSS -20VG1S12928-8RDS(ON) 75mDescription ID -3.7AAdvanced Power MOSFETs

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AP2451GY

AP2451GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive N-CH BVDSS 20VD2D2 Lower on-resistance RDS(ON) 37mD1D1G2 Surface Mount Package ID 5AS2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -20VG1S12928-8RDS(ON) 75mDescription ID -3.7AAdvanced Power MOSFETs utilized ad

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History: PJU2NA70 | AP2334GN-HF | IAUZ18N10S5L420 | 4N80G-TA3-T | BLM04N08-P | 2SK2869S | BSP298

 

 
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