IRFI9520N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFI9520N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm

Encapsulados: TO220F

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IRFI9520N datasheet

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IRFI9520N

PD - 9.1527 IRFI9520N PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Isolated Package VDSS = -100V High Voltage Isolation = 2.5KVRMS Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm RDS(on) = 0.48 P-Channel G Fully Avalanche Rated ID = -5.5A Description S Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extr

 6.1. Size:170K  international rectifier
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IRFI9520N

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IRFI9520N

PD- 95391 IRFI9520GPbF Lead-Free 06/10/04 Document Number 91162 www.vishay.com 1 IRFI9520GPbF Document Number 91162 www.vishay.com 2 IRFI9520GPbF Document Number 91162 www.vishay.com 3 IRFI9520GPbF Document Number 91162 www.vishay.com 4 IRFI9520GPbF Document Number 91162 www.vishay.com 5 IRFI9520GPbF Document Number 91162 www.vishay.com 6 IRFI9520GPbF Docum

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IRFI9520N

IRFI9520G, SiHFI9520G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) - 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Available RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.60 f = 60 Hz) RoHS* Qg (Max.) (nC) 18 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm COMPLIANT Qgs (nC) 3.0 P-Channel Qgd (nC) 9.0 175 C Operating Temperature Configuration

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