AP9990GI-HF Todos los transistores

 

AP9990GI-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP9990GI-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 76 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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AP9990GI-HF Datasheet (PDF)

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AP9990GI-HF

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AP9990GI-HF

AP9990GIF-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 55AG RoHS Compliant & Halogen-FreeTop ViewSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designerSchematic forwith the best combination of f

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AP9990GI-HF

AP9990GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 100AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theGdesigner wi

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AP9990GI-HF

AP9990GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 60V SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 5m Low On-resistance ID 84AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDDescriptionDDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,

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History: FDU6296 | SIHFBG20 | KRF7309 | 4N80G-TN3-R | BLP05N08G-P | FQB9N50TM | IRF9530NSPBF

 

 
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