AP4565GM Todos los transistores

 

AP4565GM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP4565GM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.6(6.5) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025(0.033) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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AP4565GM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:94K  ape
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AP4565GM

AP4565GMPb Free Plating ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETSimple Drive Requirement N-CH BVDSS 40V D2D2D2Low On-resistance D2 RDS(ON) 25m D1D1D1D1Fast Switching Performance ID 7.6A G2G2P-CH BVDSS -40VS2S2G1SO-8 S1G1RDS(ON) 33mSO-8 S1Descri

 0.1. Size:890K  cn vbsemi
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AP4565GM

AP4565GM&-30Vwww.VBsemi.twN- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.018 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS TestedN-Channel 30 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.024 at VGS = 4.5 V 8e0.032 a

 9.1. Size:136K  ape
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AP4565GM

AP4563GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 30m Fast Switching Performance ID 8AS1G1S2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -40VG2RDS(ON) 36mTO-252-4LDescription ID -7.3AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the de

 9.2. Size:115K  ape
ap4569gm.pdf pdf_icon

AP4565GM

AP4569GMPb Free Plating ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40VD2D2 Fast Switching Performance RDS(ON) 36mD1D1 RoHS Compliant ID 5.8AG2P-CH BVDSS -40VS2G1S1SO-8RDS(ON) 68mDescription ID -4.2AThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the be

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History: HTD1K5N10 | QM3014M6 | BL7N60A-D

 

 
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