AP76T03AGMT-HF Todos los transistores

 

AP76T03AGMT-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP76T03AGMT-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0072 Ohm
   Paquete / Cubierta: PMPAK5X6
 

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AP76T03AGMT-HF Datasheet (PDF)

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AP76T03AGMT-HF

AP76T03AGMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VD SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 7.2m Low On-resistance ID 55AG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP76T03A series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to ach

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AP76T03AGMT-HF

AP76T03AGMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VD SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 7.2m Low On-resistance ID 55AG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP76T03A series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to ach

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History: NTB18N06L | SPP80N05L | FDM100-0045SP | FMV10N80E | LSGE10R080W3 | HUF75831SK8T | TD422BL

 

 
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