AP76T03AGMT-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP76T03AGMT-HF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0072 Ohm
Paquete / Cubierta: PMPAK5X6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP76T03AGMT-HF
AP76T03AGMT-HF Datasheet (PDF)
ap76t03agmt-hf.pdf
AP76T03AGMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VD SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 7.2m Low On-resistance ID 55AG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP76T03A series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to ach
ap76t03agmt.pdf
AP76T03AGMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VD SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 7.2m Low On-resistance ID 55AG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP76T03A series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to ach
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History: NTB5605P
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Liste
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