AP4953GM Todos los transistores

 

AP4953GM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP4953GM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.053 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AP4953GM Datasheet (PDF)

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AP4953GM

AP4953GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VD2D2 Low Gate Charge RDS(ON) 53mD1D1 Fast Switching ID -5AG2S2G1SO-8S1D2Description D1Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,G2G1ruggedized device

 ..2. Size:864K  cn vbsemi
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AP4953GM

AP4953GMwww.VBsemi.twDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS TestedRoHS- 30 17 nCCOMPLIANT0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top Vie

 0.1. Size:92K  ape
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AP4953GM

AP4953GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VD2D2 Low Gate Charge RDS(ON) 53mD1D1 Fast Switching ID -5AG2 RoHS CompliantS2G1SO-8S1D2Description D1Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,G2G

 8.1. Size:2366K  allpower
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History: FQU5N60C | IXTQ52P10P | OSG80R2KFF

 

 
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