AP95T07GS-HF Todos los transistores

 

AP95T07GS-HF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP95T07GS-HF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 160 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 985 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm

Encapsulados: TO263

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AP95T07GS-HF datasheet

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AP95T07GS-HF

AP95T07GS RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 75V Lower On-resistance RDS(ON) 5m Fast Switching Characteristic ID 80A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G D S TO-263(S) ruggedized device design,

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AP95T07GS-HF

AP95T07GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 75V Lower On-resistance RDS(ON) 5m Fast Switching Characteristic ID 80A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedize

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AP95T07GS-HF

AP95T07GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 75V Lower On-resistance RDS(ON) 5m Fast Switching Characteristic ID 80A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP95T07 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest

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