AP95T07GS-HF Todos los transistores

 

AP95T07GS-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP95T07GS-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 160 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 985 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
     - Selección de transistores por parámetros

 

AP95T07GS-HF Datasheet (PDF)

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AP95T07GS-HF

AP95T07GSRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 75V Lower On-resistance RDS(ON) 5m Fast Switching Characteristic ID 80AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching, GDS TO-263(S)ruggedized device design,

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AP95T07GS-HF

AP95T07GP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 75V Lower On-resistance RDS(ON) 5m Fast Switching Characteristic ID 80AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedize

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AP95T07GS-HF

AP95T07GP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 75V Lower On-resistance RDS(ON) 5m Fast Switching Characteristic ID 80AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP95T07 series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the lowest

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History: IRFR120TR | RQK0608BQDQS | MRF5003 | AONS36316 | 4N65KG-T60-K | CSD17309Q3

 

 
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