AP96LT07GP-HF Todos los transistores

 

AP96LT07GP-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP96LT07GP-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 138 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 126 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 83 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

AP96LT07GP-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:116K  ape
 ap96lt07gp-hf.pdf pdf_icon

AP96LT07GP-HF

AP96LT07GP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 75V Lower On-resistance RDS(ON) 4.2m Fast Switching Characteristic ID 126AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP96LT07 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lo

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History: IPB60R190C6 | FCH20N60 | VBZE50P03

 

 
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