AP96LT07GP-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP96LT07GP-HF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 138 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 126 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 83 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de AP96LT07GP-HF MOSFET
AP96LT07GP-HF Datasheet (PDF)
ap96lt07gp-hf.pdf

AP96LT07GP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 75V Lower On-resistance RDS(ON) 4.2m Fast Switching Characteristic ID 126AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP96LT07 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lo
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History: STB9NK50Z | WM06N03LE | GSM2912 | MMBFJ305 | MRF176GV | SML100M12MSF | IRF5M3205
History: STB9NK50Z | WM06N03LE | GSM2912 | MMBFJ305 | MRF176GV | SML100M12MSF | IRF5M3205



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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