AP96T07AGP-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP96T07AGP-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 170 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 890 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00425 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP96T07AGP-HF

AP96T07AGP-HF Datasheet (PDF)

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ap96t07agp-hf.pdf

AP96T07AGP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 75V Lower On-resistance RDS(ON) 4.25m Fast Switching Characteristic ID 170AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP96T07A series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the

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ap96t07gs-hf.pdf

AP96T07GS-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 75V Lower On-resistance RDS(ON) 4.5m Fast Switching Characteristic ID 120AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching, GDS

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ap96t07gp-hf.pdf

AP96T07GP-HFRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 75V Lower On-resistance RDS(ON) 4.2m Fast Switching Characteristic ID 120AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,G

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History: AP9964GM | AM4415P

Liste

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