AP62T02GJ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP62T02GJ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36.8 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
Encapsulados: TO251
Búsqueda de reemplazo de AP62T02GJ MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
AP62T02GJ datasheet
ap62t02gj ap62t02gh.pdf
AP62T02GH/J Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 30V Low On-resistance RDS(ON) 12m Fast Switching Characteristic ID 48A G S Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G ruggedized device design, low on-re
ap62t03gh.pdf
AP62T03GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 12m Fast Switching Characteristic G ID 54A S RoHS Compliant & Halogen-Free Description AP62T03 series are from Advanced Power innovated design and silicon G process technology to achieve the lowe
ap62t03gh j ap62t03gj.pdf
AP62T03GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 12m Fast Switching Characteristic G ID 54A S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D designer with the best combination of fast switching, S TO-252(H) ruggedized device de
Otros transistores... AP60T03AH , AP60T03AJ , AP60T03AS , AP60T03GJ , AP60T10GP-HF , AP60T10GS-HF , AP60U02GH , AP60U03GH , BS170 , AP9410GM-HF , AP9412AGM , AP9412BGM , AP9435GJ-HF , AP9435GM , AP9435GP-HF , AP9450GMT-HF , AP9468GM-HF .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
bc557 transistor | 2n3638 | tip127 datasheet | irlz24n | irf620 | irfp350 | 13003 transistor | c458 transistor