AP9565AGH-HF Todos los transistores

 

AP9565AGH-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP9565AGH-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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AP9565AGH-HF Datasheet (PDF)

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AP9565AGH-HF

AP9565AGH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower Gate Charge BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 42m Fast Switching Characteristic ID -18.5AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the GDSdesigner with the best combination of fast switchi

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AP9565AGH-HF

AP9565AGH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower Gate Charge BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 42m Fast Switching Characteristic ID -18.5AGSDescriptionGAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theDSdesigner with the best combination of fast switching, TO-252(H)ruggedized device de

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AP9565AGH-HF

AP9565GEMPb Free Plating ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40VDDD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 38mD RoHS Compliant ID -6.5AGSSSSO-8DDescriptionGThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized de

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 ap9565bgh-hf ap9565bgj-hf.pdf pdf_icon

AP9565AGH-HF

AP9565BGH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 52m Fast Switching Characteristic ID -17AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the GDSbest combination of fast switching,

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History: DMC1229UFDB | DMT3008LFDF

 

 
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