AP6950GMT-HF Todos los transistores

 

AP6950GMT-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP6950GMT-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.13 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: PMPAK5X6
     - Selección de transistores por parámetros

 

AP6950GMT-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:131K  ape
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AP6950GMT-HF

AP6950GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL MOSFET WITHElectronics Corp. SCHOTTKY DIODED1 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30V Easy for Synchronous Buck RDS(ON) 16mG1Converter Application ID 21.6AD2/S1 RoHS Compliant & Halogen-Free CH-2 BVDSS 30VRDS(ON) 8.5mG2Description ID 42.4AS2Advanced Power MOSFETs from APEC provideG2the d

 7.1. Size:128K  ape
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AP6950GMT-HF

AP6950GYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power Dual N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD1 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30V Easy for Synchronous Buck RDS(ON) 18mG1Converter Application ID 21AD2/S1 RoHS Compliant & Halogen-Free CH-2 BVDSS 30VRDS(ON) 10.5mG2Description ID 39AS2Advanced Power MOSFETs from APEC provideG2the d

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History: AOC3862 | STFW60N65M5 | SWD078R08E8T | PMPB85ENEA | 4N65KG-TMS2-T | AP4506GEM | BL23N50-P

 

 
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