AP6950GMT-HF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP6950GMT-HF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.13 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
Encapsulados: PMPAK5X6
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AP6950GMT-HF datasheet
ap6950gmt-hf.pdf
AP6950GMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL MOSFET WITH Electronics Corp. SCHOTTKY DIODE D1 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30V Easy for Synchronous Buck RDS(ON) 16m G1 Converter Application ID 21.6A D2/S1 RoHS Compliant & Halogen-Free CH-2 BVDSS 30V RDS(ON) 8.5m G2 Description ID 42.4A S2 Advanced Power MOSFETs from APEC provide G2 the d
ap6950gyt-hf.pdf
AP6950GYT-HF Halogen-Free Product Advanced Power Dual N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D1 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30V Easy for Synchronous Buck RDS(ON) 18m G1 Converter Application ID 21A D2/S1 RoHS Compliant & Halogen-Free CH-2 BVDSS 30V RDS(ON) 10.5m G2 Description ID 39A S2 Advanced Power MOSFETs from APEC provide G2 the d
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History: STF12N120K5 | CJE3134K | FDBL9406F085
History: STF12N120K5 | CJE3134K | FDBL9406F085
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