IRF331R Todos los transistores

 

IRF331R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF331R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 350 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO204AA
 

 Búsqueda de reemplazo de IRF331R MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IRF331R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  no
 irf330r irf331r irf332r irf333r.pdf pdf_icon

IRF331R

 8.1. Size:197K  international rectifier
 irf3315s.pdf pdf_icon

IRF331R

PD - 9.1617AIRF3315S/LPRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Surface Mount (IRF3315S)VDSS = 150V Low-profile through-hole (IRF3315L) 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 0.082G Fully Avalanche RatedID = 21ADescriptionSFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achiev

 8.2. Size:314K  international rectifier
 auirf3315s.pdf pdf_icon

IRF331R

PD - 97733AUTOMOTIVE GRADEAUIRF3315SFeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Planar TechnologyDl Low On-ResistanceVDSS 150Vl Dynamic dV/dT Ratingl 175C Operating TemperatureRDS(on) max.82mGl Fast SwitchingID 21Al Fully Avalanche Rated Sl Repetitive Avalanche Allowed up toTjmaxl Lead-Free, RoHS Compliantl Automotive Qualified * DDescriptionS

 8.3. Size:231K  international rectifier
 irf3315pbf.pdf pdf_icon

IRF331R

PD - 94825AIRF3315PbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Dynamic dv/dt Rating DVDSS = 150Vl 175C Operating Temperaturel Fast Switchingl Fully Avalanche RatedRDS(on) = 0.070Gl Lead-FreeDescription ID = 23ASFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silic

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRF3205ZPBF , IRF3205ZSPBF , IRF321 , IRF322 , IRF323 , IRF3305PBF , IRF330R , IRF331 , IRF630 , IRF332 , IRF332R , IRF333 , IRF333R , IRF3000 , IRF3000PBF , IRF3007PBF , IRF3007SPBF .

History: 2N6962 | AM3406

 

 
Back to Top

 


 
.