IRF442 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF442
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
Encapsulados: TO3
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IRF442 datasheet
irf4435.pdf
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