IRF450B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF450B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 720 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
Encapsulados: TO3P
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IRF450B datasheet
irf450b irf450c.pdf
RoHS IRF450 Series RoHS SEMICONDUCTOR Nell High Power Products N-Channel Power MOSFET 14A, 500Volts DESCRIPTION D The Nell IRF450 is a three-terminal silicon device with current conduction capability of 14A, fast switching speed, low on-state resistance, breakdown voltage rating of 500V, and max. threshold voltage of 4 volts. They are designed for use in applications such as G
2n6770 irf450.pdf
PD - 90330F REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF450 HEXFET TRANSISTORS JANTX2N6770 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) JANTXV2N6770 500V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF450 500V 0.400 12A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest S
irf450.pdf
IRF450 Data Sheet March 1999 File Number 1827.3 13A, 500V, 0.400 Ohm, N-Channel Features Power MOSFET 13A, 500V This N-Channel enhancement mode silicon gate power field rDS(ON) = 0.400 effect transistor is an advanced power MOSFET designed, Single Pulse Avalanche Energy Rated tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode
Otros transistores... IRF431 , IRF432 , IRF433 , IRF441 , IRF442 , IRF443 , IRF4410A , IRF4410H , AO4407 , IRF450C , IRF460B , IRF460C , IRF510PBF , IRF510STRLPBF , IRF510STRRPBF , IRLMS1503PBF-1 , IRLMS1503PBF .
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