IRF450B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRF450B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 720 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF450B

IRF450B Datasheet (PDF)

..1. Size:409K nell
irf450b irf450c.pdf

RoHS IRF450 Series RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsN-Channel Power MOSFET14A, 500VoltsDESCRIPTIOND The Nell IRF450 is a three-terminal silicon devicewith current conduction capability of 14A, fast switchingspeed, low on-state resistance, breakdown voltagerating of 500V, and max. threshold voltage of 4 volts. They are designed for use in applications such as G

8.1. Size:144K international rectifier
2n6770 irf450.pdf

PD - 90330FREPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF450HEXFETTRANSISTORS JANTX2N6770THRU-HOLE (TO-204AA/AE) JANTXV2N6770500V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF450 500V 0.400 12AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestS

8.2. Size:359K st
irf450 irf451 irf452 irf453.pdf

8.3. Size:56K intersil
irf450.pdf

IRF450Data Sheet March 1999 File Number 1827.313A, 500V, 0.400 Ohm, N-Channel FeaturesPower MOSFET 13A, 500VThis N-Channel enhancement mode silicon gate power field rDS(ON) = 0.400effect transistor is an advanced power MOSFET designed, Single Pulse Avalanche Energy Ratedtested, and guaranteed to withstand a specified level ofenergy in the breakdown avalanche mode

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Liste

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