IRFL210PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFL210PBF
   Código: FL210
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.96 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFL210PBF

IRFL210PBF Datasheet (PDF)

..1. Size:803K international rectifier
irfl210pbf.pdf

PD- 95228IRFL210PbF Lead-Free04/28/04Document Number: 91193 www.vishay.com1IRFL210PbFDocument Number: 91193 www.vishay.com2IRFL210PbFDocument Number: 91193 www.vishay.com3IRFL210PbFDocument Number: 91193 www.vishay.com4IRFL210PbFDocument Number: 91193 www.vishay.com5IRFL210PbFDocument Number: 91193 www.vishay.com6IRFL210PbFDocument Number: 91

7.1. Size:182K international rectifier
irfl210.pdf

7.2. Size:170K vishay
irfl210 sihfl210.pdf

IRFL210, SiHFL210Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 200DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 1.5 Surface MountQg (Max.) (nC) 8.2 Available in Tape and ReelQgs (nC) 1.8 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 4.5 Repetitive Avalanche RatedConfiguration Single Fast Switching Ease of Parallelin

7.3. Size:1687K cn vbsemi
irfl210trpbf.pdf

IRFL210TRPBFwww.VBsemi.twN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Available in tape and reelVDS (V) 200 Dynamic dV/dt ratingRDS(on) ()VGS = 10 V 1.2 Repetitive avalanche ratedQg (Max.) (nC) 8.2 Fast switchingQgs (nC) 1.8 Ease of parallelingAvailableQgd (nC) 4.5 Simple drive requirementsConfiguration SingleDSOT-223DGSD

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Liste

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