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IRFL210PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFL210PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.96 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFL210PBF

 

Principales características: IRFL210PBF

 ..1. Size:803K  international rectifier
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IRFL210PBF

PD- 95228 IRFL210PbF Lead-Free 04/28/04 Document Number 91193 www.vishay.com 1 IRFL210PbF Document Number 91193 www.vishay.com 2 IRFL210PbF Document Number 91193 www.vishay.com 3 IRFL210PbF Document Number 91193 www.vishay.com 4 IRFL210PbF Document Number 91193 www.vishay.com 5 IRFL210PbF Document Number 91193 www.vishay.com 6 IRFL210PbF Document Number 91

 7.1. Size:182K  international rectifier
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IRFL210PBF

 7.2. Size:170K  vishay
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IRFL210PBF

IRFL210, SiHFL210 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 200 Definition RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.5 Surface Mount Qg (Max.) (nC) 8.2 Available in Tape and Reel Qgs (nC) 1.8 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 4.5 Repetitive Avalanche Rated Configuration Single Fast Switching Ease of Parallelin

 7.3. Size:1687K  cn vbsemi
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IRFL210PBF

IRFL210TRPBF www.VBsemi.tw N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Available in tape and reel VDS (V) 200 Dynamic dV/dt rating RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.2 Repetitive avalanche rated Qg (Max.) (nC) 8.2 Fast switching Qgs (nC) 1.8 Ease of paralleling Available Qgd (nC) 4.5 Simple drive requirements Configuration Single D SOT-223 D G S D

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History: AP50WN1K5I

 

 
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