IRFL214PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFL214PBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.79 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
Encapsulados: SOT223
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IRFL214PBF datasheet
irfl214pbf.pdf
PD-95318 IRFL214PbF HEXFET Power MOSFET Surface Mount D Available in Tape & Reel VDSS = 250V Dynamic dv/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Fast Switching RDS(on) = 2.0 Ease of Paralleling G Simple Drive Requirements Lead-Free ID = 0.79A S Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast sw
irfl214 sihfl214.pdf
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Liste
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