IRFL214PBF Todos los transistores

 

IRFL214PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFL214PBF

Código: FL214

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 250 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.79 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Tiempo de elevación (tr): 7.6 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 42 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT223

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IRFL214PBF Datasheet (PDF)

1.1. irfl214pbf.pdf Size:228K _international_rectifier

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PD-95318 IRFL214PbF HEXFET Power MOSFET Surface Mount D Available in Tape & Reel VDSS = 250V Dynamic dv/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Fast Switching RDS(on) = 2.0? Ease of Paralleling G Simple Drive Requirements Lead-Free ID = 0.79A S Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switchin

3.1. irfl214.pdf Size:174K _international_rectifier

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3.2. irfl214 sihfl214.pdf Size:925K _vishay

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IRFL214, SiHFL214 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 250 Definition RDS(on) (?)VGS = 10 V 2.0 Surface Mount Qg (Max.) (nC) 8.2 Available in Tape and Reel Qgs (nC) 1.8 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 4.5 Repetitive Avalanche Rated Configuration Single Fast Switching Ease of Paralleling Simple Drive

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