IRFL9014PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFL9014PBF

Código: FL9014

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 1.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Tiempo de elevación (tr): 63 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 170 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.5 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT223

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IRFL9014PBF Datasheet (PDF)

1.1. irfl9014pbf.pdf Size:256K _international_rectifier

PD - 95153 IRFL9014PbF HEXFET Power MOSFET l Surface Mount l Available in Tape & Reel D VDSS = -60V l Dynamic dv/dt Rating l Repetitive Avalanche Rated l P-Channel RDS(on) = 0.50? l Fast Switching G l Ease of Paralleling l Lead-Free ID = -1.8A S Descripti?n Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, rug

2.1. irfl9014.pdf Size:222K _international_rectifier

PD - 90863A IRFL9014 HEXFET� Power MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel D VDSS = -60V Dynamic dv/dt Rating Repetitive Avalanche Rated P-Channel RDS(on) = 0.50? Fast Switching G Ease of Paralleling ID = -1.8A S Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design

2.2. irfl9014 sihfl9014.pdf Size:168K _vishay

IRFL9014, SiHFL9014 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY � Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) - 60 � Surface Mount RDS(on) (?)VGS = - 10 V 0.50 � Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 12 � Dynamic dV/dt Rating Qgs (nC) 3.8 � Repetitive Avalanche Rated � P-Channel Qgd (nC) 5.1 � Fast Switching Configuration Single � Ease of Paralleli

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Liste

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