IRLZ34S Todos los transistores

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IRLZ34S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRLZ34S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 88 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2 V

Corriente continua de drenaje (Id): 30 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 170 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 660 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.05 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO263

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IRLZ34S Datasheet (PDF)

1.1. irlz34l irlz34s.pdf Size:367K _upd

IRLZ34S
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IRLZ34S, IRLZ34L, SiHLZ34S, SiHLZ34L Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition • Advanced Process Technology RDS(on) ()VGS = 5 V 0.05 • Surface Mount (IRLZ34S, SiHLZ34S) Qg (Max.) (nC) 35 • Low-Profile Through-Hole (IRLZ34L, SiHLZ34L) Qgs (nC) 7.1 • 175 °C Operating Temperature • Fast Sw

1.2. irlz34s-l.pdf Size:195K _international_rectifier

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PD - 9.905A IRLZ34S/L HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D VDSS = 60V Surface Mount (IRLZ34S) Low-profile through-hole (IRLZ34L) 175C Operating Temperature RDS(on) = 0.050? G Fast Switching Fully Avalanche Rated ID = 30A S Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resist

 1.3. irlz34s.pdf Size:357K _international_rectifier

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PD - 9.905A IRLZ34S/L HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D VDSS = 60V Surface Mount (IRLZ34S) Low-profile through-hole (IRLZ34L) 175C Operating Temperature RDS(on) = 0.050? G Fast Switching Fully Avalanche Rated ID = 30A S Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resist

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