IRLZ24SPBF Todos los transistores

 

IRLZ24SPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRLZ24SPBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 60 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V

Corriente continua de drenaje (Id): 17 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2 V

Tiempo de elevación (tr): 110 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 360 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.1 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO263

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IRLZ24SPBF Datasheet (PDF)

1.1. irlz24s irlz24l irlz24spbf irlz24lpbf.pdf Size:334K _upd

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IRLZ24S, IRLZ24L, SiHLZ24S, SiHLZ24L Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) 60 • Surface Mount RDS(on) ()VGS = 5 V 0.10 • Available in Tape and Reel • Dynamic dV/dt Rating Qg (Max.) (nC) 18 • Logic-Level Gate Drive Qgs (nC) 4.5 • RDS (on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Qgd (nC) 12 •

3.1. irlz24s.pdf Size:160K _international_rectifier

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Document Number: 90416 www.vishay.com 1475 Document Number: 90416 www.vishay.com 1476 Document Number: 90416 www.vishay.com 1477 Document Number: 90416 www.vishay.com 1478 Document Number: 90416 www.vishay.com 1479 Document Number: 90416 www.vishay.com 1480 Legal Disclaimer Notice Vishay Notice The products described herein were acquired by Vishay Intertechnology, Inc., as par

3.2. irlz24s irlz24l sihlz24s sihlz24l.pdf Size:308K _vishay

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IRLZ24S, IRLZ24L, SiHLZ24S, SiHLZ24L Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) 60 Surface Mount RDS(on) (?)VGS = 5 V 0.10 Available in Tape and Reel Dynamic dV/dt Rating Qg (Max.) (nC) 18 Logic-Level Gate Drive Qgs (nC) 4.5 RDS (on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Qgd (nC) 12 175C Operating Tem

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