IRLI530G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRLI530G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de IRLI530G MOSFET
IRLI530G datasheet
irli530g.pdf
PD - 95030 IRLI530GPbF Lead-Free 2/19/04 Document Number 91311 www.vishay.com 1 IRLI530GPbF Document Number 91311 www.vishay.com 2 IRLI530GPbF Document Number 91311 www.vishay.com 3 IRLI530GPbF Document Number 91311 www.vishay.com 4 IRLI530GPbF Document Number 91311 www.vishay.com 5 IRLI530GPbF Document Number 91311 www.vishay.com 6 IRLI530GPbF TO-220 Full-
irli530g sihli530g.pdf
IRLI530G, SiHLI530G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 100 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.16 f = 60 Hz) RoHS* COMPLIANT Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 28 Logic-Level Gate Drive Qgs (nC) 3.8 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Qgd (nC) 14
irli530g irli530gpbf sihli530g.pdf
IRLI530G, SiHLI530G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 100 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.16 f = 60 Hz) RoHS* COMPLIANT Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 28 Logic-Level Gate Drive Qgs (nC) 3.8 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Qgd (nC) 14
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History: AGM30P35D
History: AGM30P35D
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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