IRLI530G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRLI530G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 42 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V

Corriente continua de drenaje (Id): 9.7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2 V

Tiempo de elevación (tr): 100 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 250 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.16 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRLI530G

IRLI530G Datasheet (PDF)

1.1. irli530g irli530gpbf.pdf Size:1535K _upd

IRLI530G, SiHLI530G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Isolated Package VDS (V) 100 Available • High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) (Ω)VGS = 5.0 V 0.16 f = 60 Hz) RoHS* COMPLIANT • Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 28 • Logic-Level Gate Drive Qgs (nC) 3.8 • RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Qgd (nC) 14

1.2. irli530g.pdf Size:933K _international_rectifier

PD - 95030 IRLI530GPbF � Lead-Free 2/19/04 Document Number: 91311 www.vishay.com 1 IRLI530GPbF Document Number: 91311 www.vishay.com 2 IRLI530GPbF Document Number: 91311 www.vishay.com 3 IRLI530GPbF Document Number: 91311 www.vishay.com 4 IRLI530GPbF Document Number: 91311 www.vishay.com 5 IRLI530GPbF Document Number: 91311 www.vishay.com 6 IRLI530GPbF TO-220 Full-Pak P

1.3. irli530g sihli530g.pdf Size:1533K _vishay

IRLI530G, SiHLI530G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY � Isolated Package VDS (V) 100 Available � High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) (?)VGS = 5.0 V 0.16 f = 60 Hz) RoHS* COMPLIANT � Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 28 � Logic-Level Gate Drive Qgs (nC) 3.8 � RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Qgd (nC) 14 � Fast Switch

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Liste

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