IRLIZ14GPBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRLIZ14GPBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Encapsulados: TO220F
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IRLIZ14GPBF datasheet
irliz14gpbf.pdf
PD- 95655 IRLIZ14GPbF Lead-Free 7/26/04 Document Number 91315 www.vishay.com 1 IRLIZ14GPbF Document Number 91315 www.vishay.com 2 IRLIZ14GPbF Document Number 91315 www.vishay.com 3 IRLIZ14GPbF Document Number 91315 www.vishay.com 4 IRLIZ14GPbF Document Number 91315 www.vishay.com 5 IRLIZ14GPbF Document Number 91315 www.vishay.com 6 IRLIZ14GPbF Peak Diode Re
irliz14gpbf sihliz14g.pdf
IRLIZ14G, SiHLIZ14G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 60 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.20 f = 60 Hz) RoHS* COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 8.4 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Logic-Level Gate Drive Qgs (nC) 3.5 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Qgd (nC) 6.
irliz14g sihliz14g.pdf
IRLIZ14G, SiHLIZ14G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 60 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.20 f = 60 Hz) RoHS* COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 8.4 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Logic-Level Gate Drive Qgs (nC) 3.5 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Qgd (nC) 6.
Otros transistores... IRLI540G , IRLI540GPBF , IRLI540NPBF , IRLI620GPBF , IRLI630GPBF , IRLI640GPBF , IRLIB4343 , IRLIB9343PBF , AON6380 , IRLIZ24NPBF , IRLIZ34GPBF , IRLIZ34NPBF , IRLIZ44GPBF , IRLIZ44NPBF , IRFF9111 , IRFF9112 , IRFF9113 .
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Liste
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