IRLIZ44GPBF Todos los transistores

 

IRLIZ44GPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRLIZ44GPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 230 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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IRLIZ44GPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1182K  international rectifier
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IRLIZ44GPBF

PD- 95754IRLIZ44GPbF Lead-Freewww.irf.com 18/23/04IRLIZ44GPbF2 www.irf.comIRLIZ44GPbFwww.irf.com 3IRLIZ44GPbF4 www.irf.comIRLIZ44GPbFwww.irf.com 5IRLIZ44GPbF6 www.irf.comIRLIZ44GPbFPeak Diode Recovery dv/dt Test Circuit+Circuit Layout Considerations Low Stray Inductance Ground Plane Low Leakage InductanceCurrent Transformer-+

 6.1. Size:170K  1
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IRLIZ44GPBF

 6.2. Size:170K  international rectifier
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IRLIZ44GPBF

 6.3. Size:275K  inchange semiconductor
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IRLIZ44GPBF

iscN-Channel MOSFET Transistor IRLIZ44GFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) 28m @V =5VGSEnhancement mode:Vth = 1.0 to 2.0V (VDS = 10 V, ID=0.25mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER

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History: WMK043N10LGS | SVT077R5ND | CS55N25A8R-G | WMK13N70EM

 

 
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History: WMK043N10LGS | SVT077R5ND | CS55N25A8R-G | WMK13N70EM

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