IRFF9111 Todos los transistores

 

IRFF9111 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFF9111
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO39
 

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IRFF9111 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:974K  njs
 irff9110 irff9111 irff9112 irff9113.pdf pdf_icon

IRFF9111

 7.1. Size:132K  international rectifier
 irff9110.pdf pdf_icon

IRFF9111

PD - 90388REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATEDHEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE (TO-205AF) IRFF9110100V, P-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF9110 -100V 1.2 -2.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art desi

 8.1. Size:133K  international rectifier
 2n6849 irff9130.pdf pdf_icon

IRFF9111

PD - 90550DIRFF9130 JANTX2N6849REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTXV2N6849HEXFETTRANSISTORS JANS2N6849THRU-HOLE (TO-205AF) REF:MIL-PRF-19500/564100V, P-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF9130 -100V 0.30 -6.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry an

 8.2. Size:130K  international rectifier
 2n6845 irff9120.pdf pdf_icon

IRFF9111

PD - 90552CIRFF9120REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6845HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6845THRU-HOLE (TO-205AF) REF:MIL-PRF-19500/563100V, P-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFF9120 -100V 0.60 -4.0AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique proce

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