IRF7703PBF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF7703PBF 📄📄

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 405 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 416 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: TSSOP8

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IRF7703PBF datasheet

..1. Size:237K international rectifier
irf7703pbf.pdf pdf_icon

PD-96026A IRF7703PbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max (mW) ID l P-Channel MOSFET -40V 28@VGS = -10V -6.0A l Very Small SOIC Package 45@VGS = -4.5V -4.8A l Low Profile (

7.1. Size:210K international rectifier
irf7703.pdf pdf_icon

PD - 94221 B IRF7703 HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max (mW) ID l P-Channel MOSFET -40V 28@VGS = -10V -6.0A l Very Small SOIC Package 45@VGS = -4.5V -4.8A l Low Profile (

7.2. Size:237K international rectifier
irf7703gpbf.pdf pdf_icon

PD- 96148A IRF7703GPbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance l P-Channel MOSFET VDSS RDS(on) max (mW) ID l Very Small SOIC Package -40V 28@VGS = -10V -6.0A l Low Profile (

8.1. Size:141K international rectifier
irf7701.pdf pdf_icon

PD - 93940 IRF7701 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID P-Channel MOSFET 0.011@VGS = -4.5V -10A Very Small SOIC Package -12V 0.015@VGS = -2.5V -8.5A Low Profile (