IRFR7440PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFR7440PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.9 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 89 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 690 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFR7440PBF

IRFR7440PBF Datasheet (PDF)

..1. Size:292K international rectifier
irfr7440pbf irfu7440pbf.pdf

StrongIRFETIRFR7440PbFIRFU7440PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsDVDSS 40Vl Brushed Motor drive applicationsl BLDC Motor drive applicationsRDS(on) typ. 1.9ml PWM Inverterized topologies max. 2.4ml Battery powered circuits GID (Silicon Limited) 180Al Half-bridge and full-bridge topologiesl Electronic ballast applicationsID (Package Limited) 90A Sl Sy

..2. Size:292K infineon
irfr7440pbf irfu7440pbf.pdf

6.1. Size:242K inchange semiconductor
irfr7440.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFR7440, IIRFR7440FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)2.4mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSynchronous rectifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volta

7.1. Size:272K international rectifier
irfr7446pbf.pdf

StrongIRFETIRFR7446PbFApplicationsl Brushed Motor drive applicationsHEXFET Power MOSFETl BLDC Motor drive applicationsl PWM Inverterized topologiesD VDSS40Vl Battery powered circuitsRDS(on) typ.3.0ml Half-bridge and full-bridge topologies max. 3.9ml Synchronous rectifier applicationsGl Resonant mode power suppliesID (Silicon Limited)120Al OR-ing

7.2. Size:272K infineon
irfr7446pbf.pdf

7.3. Size:242K inchange semiconductor
irfr7446.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFR7446, IIRFR7446FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)3.9mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSynchronous rectifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volta

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Liste

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