IRFR7540PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFR7540PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.7 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 86 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFR7540PBF

IRFR7540PBF Datasheet (PDF)

..1. Size:581K international rectifier
irfr7540pbf irfu7540pbf.pdf

StrongIRFET IRFR7540PbF IRFU7540PbF HEXFET Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications VDSS 60V D BLDC Motor drive applications RDS(on) typ. 4.0mBattery powered circuits max 4.8m Half-bridge and full-bridge topologies G Synchronous rectifier applications ID (Silicon Limited) 110A S Resonant

..2. Size:581K infineon
irfr7540pbf irfu7540pbf.pdf

6.1. Size:242K inchange semiconductor
irfr7540.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFR7540, IIRFR7540FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)4.8mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSynchronous rectifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volta

7.1. Size:576K international rectifier
irfr7546pbf irfu7546pbf.pdf

StrongIRFET IRFR7546PbF IRFU7546PbF HEXFET Power MOSFET Application Brushed motor drive applications DVDSS 60V BLDC motor drive applications Battery powered circuits RDS(on) typ. 6.6m Half-bridge and full-bridge topologies max 7.9mG Synchronous rectifier applications ID (Silicon Limited) 71A Resonant

7.2. Size:576K infineon
irfr7546pbf irfu7546pbf.pdf

7.3. Size:242K inchange semiconductor
irfr7546.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFR7546, IIRFR7546FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)7.9mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSynchronous rectifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volta

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Liste

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