IRHE7110 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRHE7110
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 3 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
Paquete / Cubierta: LCC18
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRHE7110
IRHE7110 Datasheet (PDF)
irhe7110.pdf
PD - 90732EIRHE7110RADIATION HARDENED100V, N-CHANNELPOWER MOSFETRAD Hard HEXFET TECHNOLOGYSURFACE MOUNT(LCC-18)Product SummaryPart Number Radiation Level RDS(on) ID IRHE7110 100K Rads (Si) 0.60 3.5A IRHE3110 300K Rads (Si) 0.60 3.5A IRHE4110 600K Rads (Si) 0.60 3.5A IRHE8110 1000K Rads (Si) 0.60 3.5ALCC-18International Rectifiers RADHard HEXFET
irhe7130.pdf
PD - 91806BIRHE7130IRHE7130IRHE7130IRHE7130IRHE7130JANSR2N7261UJANSR2N7261UJANSR2N7261UJANSR2N7261UJANSR2N7261URADIATION HARDENEDRADIATION HARDENEDRADIATION HARDENEDRADIATION HARDENEDRADIATION HARDENED100V, N-CHANNEL100V, N-CHANNEL100V, N-CHANNEL100V, N-CHANNEL100V, N-CHANNELPOWER MOSFETPOWER MOSFETPOWER MOSFETPOWER MOSFETPOWER MOSFETREF: MIL-
irhe7230.pdf
PD - 90713EIRHE7230JANSR2N7262U 200V, N-CHANNELRADIATION HARDENEDREF: MIL-PRF-19500/601POWER MOSFETRAD-Hard HEXFET MOSFETSURFACE MOUNT (LCC-18)TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID QPL Part Number IRHE7230 100K Rads (Si) 0.35 5.5A JANSR2N7262U IRHE3230 300K Rads (Si) 0.35 5.5A JANSF2N7262U IRHE4230 600K Rads (Si) 0.35 5.5A J
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Liste
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