IRHE7110 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRHE7110
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
Encapsulados: LCC18
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IRHE7110 datasheet
irhe7130.pdf
PD - 91806B IRHE7130 IRHE7130 IRHE7130 IRHE7130 IRHE7130 JANSR2N7261U JANSR2N7261U JANSR2N7261U JANSR2N7261U JANSR2N7261U RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET REF MIL-
irhe7230.pdf
PD - 90713E IRHE7230 JANSR2N7262U 200V, N-CHANNEL RADIATION HARDENED REF MIL-PRF-19500/601 POWER MOSFET RAD-Hard HEXFET MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-18) TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID QPL Part Number IRHE7230 100K Rads (Si) 0.35 5.5A JANSR2N7262U IRHE3230 300K Rads (Si) 0.35 5.5A JANSF2N7262U IRHE4230 600K Rads (Si) 0.35 5.5A J
Otros transistores... IRFR812TRPBF , IRFR825TRPBF , IRFR8314PBF , IRFU7440PBF , IRFU7540PBF , IRFU7546PBF , IRFU7740PBF , IRFU7746PBF , IRF640N , IRHE9110 , IRHQ567110 , IRHQ57110 , IRHQ57214SE , IRHQ597110 , IRHQ6110 , IRHQ7110 , IRHQ9110 .
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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