IRHE9110 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRHE9110
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 4.3 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 94 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
Paquete / Cubierta: LCC18
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRHE9110
IRHE9110 Datasheet (PDF)
irhe9110.pdf
PD-97180RADIATION HARDENED IRHE9110POWER MOSFET 100V - P CHANNELSURFACE MOUNT (LCC-18)RAD-HardTM HEXFET TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) IDIRHE9110 100K Rads (Si) 1.1 -2.3AIRHE93110 300K Rads (Si) 1.1 -2.3ALCC - 18International Rectifiers RAD-HardTM HEXFETtechnology provides high performance power MOSFETsFeatures:for space appl
irhe9130.pdf
PD - 90881BIRHE9130 100V, P-CHANNELRADIATION HARDENEDREF: MIL-PRF-19500/630RAD-Hard HEXFETPOWER MOSFETMOSFET TECHNOLOGYSURFACE MOUNT (LCC-18)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID QPL Part Number IRHE9130 100K Rads (Si) 0.30 -6.5A JANSR2N7389U IRHE93130 300K Rads (Si) 0.30 -6.5A JANSF2N7389ULCC - 18International Rectifiers RAD-HardTM H
irhe9230.pdf
PD - 91804DIRHE9230 200V, P-CHANNELRADIATION HARDENEDREF: MIL-PRF-19500/630RAD-Hard HEXFETPOWER MOSFETMOSFET TECHNOLOGYSURFACE MOUNT (LCC-18)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID QPL Part Number IRHE9230 100K Rads (Si) 0.80 -4.0A JANSR2N7390U IRHE93230 300K Rads (Si) 0.80 -4.0A JANSF2N7390ULCC - 18International Rectifiers RAD-HardTM H
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History: FDPF39N20
History: FDPF39N20
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