IRHQ7110 Todos los transistores

 

IRHQ7110 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRHQ7110

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 12 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: LCC28

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IRHQ7110 datasheet

 ..1. Size:128K  international rectifier
 irhq7110.pdf pdf_icon

IRHQ7110

PD - 93785A IRHQ7110 RADIATION HARDENED 100V, QUAD N-CHANNEL RAD-Hard HEXFET POWER MOSFET MOSFET TECHNOLOGY SURFACE MOUNT (LCC-28) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHQ7110 100K Rads (Si) 0.6 3.0A IRHQ3110 300K Rads (Si) 0.6 3.0A IRHQ4110 600K Rads (Si) 0.6 3.0A IRHQ8110 1000K Rads (Si) 0.75 3.0A LCC-28 International Rectifier s RAD-

 9.1. Size:126K  international rectifier
 irhq7214.pdf pdf_icon

IRHQ7110

PD - 93828 IRHQ7214 250V, QUAD N-CHANNEL RADIATION HARDENED RAD-Hard HEXFET POWER MOSFET MOSFET TECHNOLOGY SURFACE MOUNT (LCC-28) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHQ7214 100K Rads (Si) 2.25 1.6A IRHQ3214 300K Rads (Si) 2.25 1.6A IRHQ4214 600K Rads (Si) 2.25 1.6A IRHQ8214 1000K Rads (Si) 2.25 1.6A LCC-28 International Rectifier s RA

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