IRHQ7110 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRHQ7110
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 12 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
Paquete / Cubierta: LCC28
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRHQ7110
IRHQ7110 Datasheet (PDF)
irhq7110.pdf
PD - 93785AIRHQ7110 RADIATION HARDENED100V, QUAD N-CHANNELRAD-Hard HEXFET POWER MOSFETMOSFET TECHNOLOGY SURFACE MOUNT (LCC-28)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) IDIRHQ7110 100K Rads (Si) 0.6 3.0AIRHQ3110 300K Rads (Si) 0.6 3.0AIRHQ4110 600K Rads (Si) 0.6 3.0AIRHQ8110 1000K Rads (Si) 0.75 3.0ALCC-28International Rectifiers RAD-
irhq7214.pdf
PD - 93828IRHQ7214250V, QUAD N-CHANNEL RADIATION HARDENEDRAD-Hard HEXFET POWER MOSFETMOSFET TECHNOLOGY SURFACE MOUNT (LCC-28)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) IDIRHQ7214 100K Rads (Si) 2.25 1.6AIRHQ3214 300K Rads (Si) 2.25 1.6AIRHQ4214 600K Rads (Si) 2.25 1.6AIRHQ8214 1000K Rads (Si) 2.25 1.6ALCC-28International Rectifiers RA
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Liste
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