IRHQ7110 Todos los transistores

 

IRHQ7110 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRHQ7110
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 12 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: LCC28
 

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IRHQ7110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:128K  international rectifier
 irhq7110.pdf pdf_icon

IRHQ7110

PD - 93785AIRHQ7110 RADIATION HARDENED100V, QUAD N-CHANNELRAD-Hard HEXFET POWER MOSFETMOSFET TECHNOLOGY SURFACE MOUNT (LCC-28)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) IDIRHQ7110 100K Rads (Si) 0.6 3.0AIRHQ3110 300K Rads (Si) 0.6 3.0AIRHQ4110 600K Rads (Si) 0.6 3.0AIRHQ8110 1000K Rads (Si) 0.75 3.0ALCC-28International Rectifiers RAD-

 9.1. Size:126K  international rectifier
 irhq7214.pdf pdf_icon

IRHQ7110

PD - 93828IRHQ7214250V, QUAD N-CHANNEL RADIATION HARDENEDRAD-Hard HEXFET POWER MOSFETMOSFET TECHNOLOGY SURFACE MOUNT (LCC-28)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) IDIRHQ7214 100K Rads (Si) 2.25 1.6AIRHQ3214 300K Rads (Si) 2.25 1.6AIRHQ4214 600K Rads (Si) 2.25 1.6AIRHQ8214 1000K Rads (Si) 2.25 1.6ALCC-28International Rectifiers RA

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