IRLU9343-701 Todos los transistores

 

IRLU9343-701 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRLU9343-701

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 79 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm

Encapsulados: TO251

 Búsqueda de reemplazo de IRLU9343-701 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IRLU9343-701 datasheet

 ..1. Size:303K  international rectifier
irlr9343pbf irlu9343pbf irlu9343-701pbf.pdf pdf_icon

IRLU9343-701

PD - 95386A DIGITAL AUDIO MOSFET IRLR9343PbF IRLU9343PbF IRLU9343-701PbF Features l Advanced Process Technology Key Parameters l Key Parameters Optimized for Class-D Audio Amplifier Applications VDS -55 V l Low RDSON for Improved Efficiency RDS(ON) typ. @ VGS = -10V m 93 l Low Qg and Qsw for Better THD and Improved RDS(ON) typ. @ VGS = -4.5V m 150 Efficiency Qg typ. l Low

 ..2. Size:248K  international rectifier
irlu9343-701 irlr9343.pdf pdf_icon

IRLU9343-701

PD - 95850 DIGITAL AUDIO MOSFET IRLR9343 IRLU9343 IRLU9343-701 Features l Advanced Process Technology Key Parameters l Key Parameters Optimized for Class-D Audio Amplifier Applications VDS -55 V l Low RDSON for Improved Efficiency RDS(ON) typ. @ VGS = -10V m 93 l Low Qg and Qsw for Better THD and Improved RDS(ON) typ. @ VGS = -4.5V m 150 Efficiency Qg typ. l Low Qrr for

 6.1. Size:303K  international rectifier
irlr9343pbf irlu9343pbf.pdf pdf_icon

IRLU9343-701

PD - 95386A DIGITAL AUDIO MOSFET IRLR9343PbF IRLU9343PbF IRLU9343-701PbF Features l Advanced Process Technology Key Parameters l Key Parameters Optimized for Class-D Audio Amplifier Applications VDS -55 V l Low RDSON for Improved Efficiency RDS(ON) typ. @ VGS = -10V m 93 l Low Qg and Qsw for Better THD and Improved RDS(ON) typ. @ VGS = -4.5V m 150 Efficiency Qg typ. l Low

Otros transistores... IRLU8113PBF , IRLU8203PBF , IRLU8256PBF , IRLU8259PBF , IRLU8721PBF , IRLU8726PBF , IRLU8729PBF , IRLU8743PBF , 20N50 , IRLR8203PBF , IRLR8103 , IRLR8103VPBF , IRLR8113PBF , IRLR8256PBF , IRLR8259PBF , IRLR8503 , IRLR8503PBF .

History: WMP08N70EM | AP2306N | SI2301ADS-T1 | SM3424NHQA | 4N60KG-TM3-T | IRLS3813PBF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.