IRLR6225PBF Todos los transistores

 

IRLR6225PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRLR6225PBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 915 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm

Encapsulados: TO252

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IRLR6225PBF datasheet

 ..1. Size:296K  international rectifier
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IRLR6225PBF

PD - 97594 IRLR6225PbF HEXFET Power MOSFET VDS 20 V D D RDS(on) max 4.0 m (@VGS = 4.5V) RDS(on) max S 5.2 m G G (@VGS = 2.5V) Qg (typical) 48 nC D-Pak S IRLR6225PbF RG (typical) 2.2 ID 42 A GDS Gate Drain Source Applications Battery Protection Switch Features and Benefits Features Benefits Industry-Standard Pinout Multi-Vendor Compatibility Comp

 6.1. Size:241K  inchange semiconductor
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IRLR6225PBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRLR6225, IIRLR6225 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 4.0m (VGS=4.5V) RDS(on) 5.2m (VGS=2.5V) Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Battery protection switch ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VA

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