IRLU014N Todos los transistores

 

IRLU014N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRLU014N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm

Encapsulados: TO251

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IRLU014N datasheet

 ..1. Size:287K  international rectifier
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IRLU014N

PD - 95551B IRLR014NPbF IRLU014NPbF HEXFET Power MOSFET l Logic-Level Gate Drive l Surface Mount (IRLR024N) D l Straight Lead (IRLU024N) VDSS = 55V l Advanced Process Technology l Fast Switching RDS(on) = 0.14 l Fully Avalanche Rated G l Lead-Free ID = 10A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achiev

 ..2. Size:116K  international rectifier
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IRLU014N

PD- 94350 IRLR/U014N HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive D Surface Mount (IRLR024N) VDSS = 55V Straight Lead (IRLU024N) Advanced Process Technology RDS(on) = 0.14 G Fast Switching Fully Avalanche Rated ID = 10A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance

 7.1. Size:286K  1
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IRLU014N

 7.2. Size:342K  1
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IRLU014N

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History: IRLS3036PBF

 

 

 

 

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