IRLU014NPBF Todos los transistores

 

IRLU014NPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRLU014NPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRLU014NPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:287K  international rectifier
 irlr014npbf irlu014npbf.pdf pdf_icon

IRLU014NPBF

PD - 95551BIRLR014NPbFIRLU014NPbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate Drivel Surface Mount (IRLR024N)Dl Straight Lead (IRLU024N)VDSS = 55Vl Advanced Process Technologyl Fast SwitchingRDS(on) = 0.14l Fully Avalanche RatedGl Lead-FreeID = 10ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilizeadvanced processing techniques to achiev

 6.1. Size:116K  international rectifier
 irlr014n irlu014n.pdf pdf_icon

IRLU014NPBF

PD- 94350IRLR/U014NHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveD Surface Mount (IRLR024N) VDSS = 55V Straight Lead (IRLU024N) Advanced Process TechnologyRDS(on) = 0.14G Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 10ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing techniques to achieve the lowest possible on-resistance

 7.1. Size:286K  1
 irlu014 irlr014.pdf pdf_icon

IRLU014NPBF

 7.2. Size:342K  1
 irlu014a irlr014a.pdf pdf_icon

IRLU014NPBF

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History: STW63N65DM2 | STP9N65M2 | AUIRLU024Z | AFN9971

 

 
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