IRLU110 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRLU110
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.54 Ohm
Encapsulados: TO251
Búsqueda de reemplazo de IRLU110 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
IRLU110 datasheet
irlr110pbf irlu110pbf.pdf
PD - 95601A IRLR110PbF IRLU110PbF Lead-Free 1/10/05 Document Number 91323 www.vishay.com 1 IRLR/U110PbF Document Number 91323 www.vishay.com 2 IRLR/U110PbF Document Number 91323 www.vishay.com 3 IRLR/U110PbF Document Number 91323 www.vishay.com 4 IRLR/U110PbF Document Number 91323 www.vishay.com 5 IRLR/U110PbF Document Number 91323 www.vishay.com 6 IRLR/U11
irlr110 irlu110 irlr110pbf irlu110pbf sihlr110 sihlu110.pdf
IRLR110, IRLU110, SiHLR110, SiHLU110 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 100 Definition Dynamic dV/dt Rating RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.54 Repetitive Avalanche Rated Qg (Max.) (nC) 6.1 Surface Mount (IRLR110, SiHLR110) Qgs (nC) 2.0 Straight Lead (IRLU110, SiHLU110) Qgd (nC) 3.3 Available i
irlr110 irlu110 sihlr110 sihlu110.pdf
IRLR110, IRLU110, SiHLR110, SiHLU110 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 100 Definition Dynamic dV/dt Rating RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.54 Repetitive Avalanche Rated Qg (Max.) (nC) 6.1 Surface Mount (IRLR110, SiHLR110) Qgs (nC) 2.0 Straight Lead (IRLU110, SiHLU110) Qgd (nC) 3.3 Available i
irlr110a irlu110a.pdf
IRLR/U110A FEATURES BVDSS = 100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.44 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 4.7 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area D-PAK I-PAK Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) 0.336 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings
Otros transistores... IRLU3105PBF , IRLU2908PBF , IRLU014N , IRLU014NPBF , IRLU014PBF , IRLU024NPBF , IRLU024PBF , IRLU024ZPBF , IRF3710 , IRLU110PBF , IRLU120 , IRLU120NPBF , IRLU120PBF , IRLR014N , IRLR014NPBF , IRLR014PBF , IRLR024NPBF .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
hrf3205 | c2837 datasheet | 2n414 | c3998 | c4468 datasheet | 2sc2603 | jcs50n20wt | 2sa1360
